特許
J-GLOBAL ID：200903063900953256
有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 由己男
, 稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-032965
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114862
出願日： 2005年02月09日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】薄膜トランジスタ特性を安定的に確保することができる有機半導体薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法の提供。【解決手段】まず、絶縁基板上に遮光膜を島形で形成し、その上部に層間絶縁膜を形成する。次に、ソース電極を有するデータ線及びドレイン電極を形成し、ソース電極とドレイン電極の一部及びソース電極とドレイン電極との間を露出する開口部とドレイン電極を露出する接触孔を有する隔壁を形成する。次に、インクジェット方式で開口部内に有機半導体を形成し、その上部にゲート絶縁膜を形成した後、隔壁の上部にゲート電極を有するゲート線を形成する。次いで、ゲート線を覆ってドレイン電極を露出する保護膜を形成し、保護膜の上部に画素電極を形成する。これにより、薄膜トランジスタの特性を安定的に確保することができる。製造工程を単純化することができ、有機絶縁物質を利用して写真工程のみで隔壁と層間絶縁膜または保護膜を形成するため製造工程を単純化することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されていてソース電極を有するデータ線と、
前記データ線から分離されているドレイン電極と、
前記絶縁基板上に形成されて前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置しており、前記ソース電極とドレイン電極の一部とに接している島形の有機半導体と、
前記有機半導体の上部に形成されており、有機絶縁物質からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上部に位置しゲート電極を有するゲート線と、
前記ゲート線を覆っており、前記ドレイン電極を露出させる第1接触孔を有する保護膜と、
前記第1接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結されている画素電極と、
を含むことを特徴とする、有機半導体薄膜トランジスタ表示板。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, G02F 1/133
, G02F 1/136
, H01L 51/05
H01L29/78 618B
, G02F1/1335 500
, G02F1/1335 505
, G02F1/1368
, H01L29/78 619B
, H01L29/78 626C
, H01L29/78 617T
, H01L29/28
2H091FA02Y
, 2H091FA34Y
, 2H091FB02
, 2H091FB08
, 2H091FD04
, 2H091GA07
, 2H091GA13
, 2H091GA16
, 2H091LA03
, 2H091LA12
, 2H091LA15
, 2H092JA25
, 2H092JA28
, 2H092JA46
, 2H092JB52
, 2H092JB57
, 2H092JB58
, 2H092KA09
, 2H092KA13
, 2H092KB22
, 2H092KB24
, 2H092KB25
, 2H092KB26
, 2H092MA13
, 2H092NA22
, 2H092NA27
, 2H092PA08
, 2H092PA09
, 5F110AA06
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE23
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110FF35
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110GG57
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK33
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN35
, 5F110NN42
, 5F110NN46
, 5F110NN72
