特許
J-GLOBAL ID：200903072845775210

半導体装置およびその検査方法と製造方法

発明者：
平位 美穂

平位 美穂 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-102048
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286266
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 電極パッドに対してテストプローブを当接させる領域を定義し、電極パッドのプローブ痕が生じる領域を避けて外部電極をボンディングし、ボンディング信頼性を高めるとともに、電極パッドの下部の回路での配線の配設領域を拡大して高集積化を実現することを可能にした半導体装置とその検査方法及び製造方法を提供する。【解決手段】 電極パッド4にテストプローブを接触させるエリア示すプローブエリアマーク41a〜41dを備え、プローブエリアマークにより電極パッドにおけるテストプローブの当接領域を限定し、電極パッドに対するボンディング信頼性を高める。電極パッド4の直下層では、テストプローブエリアTPAの直下領域には配線層123が配設されておらず、テストプローブエリアTPA以外の領域に配線層123が形成される。電極パッドの直下における回路配線の配設可能領域を拡大して配線の高集積化を可能とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
電極パッドに対してテストプローブを当接させるテストプローブエリアを定義するためのプローブエリアマークを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L21/66 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (6件)：
H01L21/66 E ,  H01L21/66 B ,  H01L21/88 T ,  H01L27/04 E ,  H01L27/04 T ,  H01L21/82 P
Fターム (27件)：
4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AD11 ,  4M106AD23 ,  4M106AD24 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106DD13 ,  5F033UU05 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX37 ,  5F038AV06 ,  5F038BE07 ,  5F038CA10 ,  5F038DT04 ,  5F038DT13 ,  5F038DT15 ,  5F038EZ08 ,  5F038EZ20 ,  5F064CC10 ,  5F064DD42 ,  5F064DD43 ,  5F064DD46 ,  5F064DD47 ,  5F064DD48 ,  5F064EE23
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-135771   出願人：三菱電機株式会社
審査官引用 (5件)
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