半導体の表面清浄方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保田千賀志 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048402
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233382
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 III族窒化物系半導体に電極を形成する際の、あるいはこの半導体にホモエピタキシャル成長を行って発光素子として使用する際の、該半導体の表面清浄方法であって、清浄化された該半導体の使用により、電極-半導体間のI-V特性を低減し、半導体素子の駆動用電圧を大幅に低減することができ、また高性能な発光素子を作製することができる。【解決手段】 III族窒化物系半導体に、電極形成あるいはホモエピタキシャル成長を行うのに先立ち、弗酸系エッチャントにより該半導体表面を処理する。

請求項（抜粋）：

III族窒化物系半導体に電極を形成するのに先立ち、該半導体表面を弗酸系エッチャントにより処理することを特徴とする半導体の表面清浄方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 341 , C23F 1/30 , H01L 21/205 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 33/00

FI (6件)：

H01L 21/304 341 L , C23F 1/30 , H01L 21/205 , H01L 21/28 A , H01L 21/28 301 H , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-221816 出願人：株式会社東芝
半導体ウェハ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-336984 出願人：日立電線株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-291585 出願人：三洋電機株式会社

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