半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053739
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306163
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】オーバーレイド方式のメモリシステムにおいて、異なるメモリセルアレイ間での読み出し速度の改善を目的とする。【解決手段】オーバーレイド方式のメモリシステムにおいて、それぞれのメモリセルアレイを他のメモリセルアレイとは無関係に活性化し、さらに、それぞれのメモリセルアレイの活性化状態を維持させることにより、異なるメモリセルアレイ間での読み出し時に、メモリセルアレイの活性化、リセット・プリチャージによる読み出し速度の遅延を生じないメモリシステムを提供するものである。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを有する複数のメモリセルアレイと、複数のセンスアンプと、前記複数のセンスアンプと接続される複数のデータ線と、各々の前記複数のメモリセルアレイにそれぞれ設けられ、前記メモリセルアレイの任意メモリセルのデータを前記センスアンプに送出し、任意の前記センスアンプのデータを前記データ線に送出する制御を行う複数のアレイ制御部とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 , G11C 11/409

FI (2件)：

G11C 11/34 362 H , G11C 11/34 354 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-203717 出願人：三菱電機株式会社
半導体メモリ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-144147 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216028 出願人：沖電気工業株式会社

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