単結晶シリコン基板上の酸化亜鉛単結晶膜の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-361242
公開番号（公開出願番号）：特開2003-165793
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月10日
要約：

【要約】【課題】低コストかつ加工性に優れたシリコン基板上に成長することができ、基板面に垂直方向及び膜面内で結晶完全性が高く、かつ、シリコン基板と電気的に絶縁された酸化亜鉛単結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板1上にフッ化カルシウム単結晶薄膜2をエピタキシャル成長し、フッ化カルシウム単結晶薄膜2上に酸化亜鉛単結晶膜3をエピタキシャル成長する。フッ化カルシウム単結晶薄膜2の厚さが15nm以上であれば、基板面に垂直方向にc軸配向し、膜面内で結晶ドメイン回転のない高品質の酸化亜鉛単結晶膜3が得られる。フッ化カルシウム単結晶薄膜2の厚さが100nm以上であれば、単結晶シリコン基板1と酸化亜鉛単結晶膜3は絶縁分離される。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板上にフッ化カルシウム単結晶薄膜をエピタキシャル成長し、このフッ化カルシウム単結晶薄膜上に酸化亜鉛単結晶膜をエピタキシャル成長することを特徴とする、単結晶シリコン基板上の酸化亜鉛単結晶膜の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/16 , H01L 41/24

FI (2件)：

C30B 29/16 , H01L 41/22 A

Fターム (9件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB07 , 4G077DA03 , 4G077DA04 , 4G077DA05 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF02

引用特許：

審査官引用 (4件)

高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-088231 出願人：ホーヤ株式会社
特開平3-276106
金属酸化物構造体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-292504 出願人：旭化成株式会社, 斎藤秀俊

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