特許
J-GLOBAL ID：200903072977746180
化学増幅型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-004863
公開番号（公開出願番号）：特開2001-272785
出願日： 2001年01月12日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位と式(2)で示される繰り返し単位又は式(2)で示される繰り返し単位からなる、分子量分布が1.0〜1.5の高分子化合物を含有する化学増幅型レジスト材料。【化1】(R<SP>1</SP>はアルキル基、アルコキシアルキル基、アセチル基又はカルボニルアルコキシ基、0<p/(p+q)≦1。)【化2】(R<SP>2</SP>は水素原子又はメチル基、R<SP>3</SP>は炭素数4〜30の3級炭化水素基。)【効果】 本発明の化学増幅型レジスト材料は、ポリマーの狭分散性効果によって従来の広い分散度のベース樹脂よりも解像性が向上する。また、ポリマーの低分子量部分を除去することから、レジストパターン形状も良好なものとなり、更に、レジストとしての保存安定性も向上する。従って、従来のレジスト材料と比較して高い解像性、良好なパターン形状、保存安定性が得られる。
請求項（抜粋）：
下記式(1)で示される繰り返し単位と下記式(2)で示される繰り返し単位とからなる高分子化合物、下記式(2)で示される繰り返し単位からなる高分子化合物、下記式(2)で示される繰り返し単位と下記式(4)で示される繰り返し単位とからなる高分子化合物、下記式(3)で示される繰り返し単位からなる高分子化合物、及び下記式(4)で示される繰り返し単位からなる高分子化合物から選ばれ、分子量分布が1.0〜1.5の高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。【化1】(但し、式中R<SP>1</SP>はアルキル基、アルコキシアルキル基、アセチル基又はカルボニルアルコキシ基を表わし、各単位はそれぞれ1種で構成されていても、2種以上で構成されていてもよい。pは正数、qは0又は正数であり、0<p/(p+q)≦1を満足する数である。)【化2】(但し、式中R<SP>2</SP>は水素原子又はメチル基、R<SP>3</SP>は炭素数4〜30の3級炭化水素基を表わす。)【化3】(但し、式中R<SP>4</SP>は炭素数4〜30の3級炭化水素基を表わし、R<SP>5</SP>〜R<SP>8</SP>はそれぞれ単独に水素原子、エステル基、アルコキシカルボニルアルキル基、ラクトン基、カルボキシル基、又は環状酸無水物基を示し、あるいはR<SP>5</SP>〜R<SP>8</SP>のいずれか2つが結合して環状のラクトン基又は酸無水物基を形成してもよい。rは正数、sは0又は正数であり、0<r/(r+s)≦1を満足する数である。)【化4】(但し、式中R<SP>9</SP>は炭素数4〜30の3級炭化水素基を表わし、nは0又は1である。)
IPC (8件)：
G03F 7/039 601
, C08F120/18
, C08F212/14
, C08F220/18
, C08F222/06
, C08F232/00
, C08F232/04
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, C08F120/18
, C08F212/14
, C08F220/18
, C08F222/06
, C08F232/00
, C08F232/04
, H01L 21/30 502 R
