特許
J-GLOBAL ID：200903073012301831

基板処理装置

発明者：
花島 建夫

花島 建夫 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-048507
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243736
出願日： 2004年02月24日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 基板面内の膜厚を有効に均一化させることができるようにする。【解決手段】 基板処理装置は、処理室と、処理室を加熱する加熱手段と、加熱手段を予め設定された設定温度に基づき制御する加熱制御手段と、処理ガス供給手段を制御して前記処理室内で前記基板の処理を開始する処理ガス供給制御手段とを備える。前記設定温度は、ウェハのエッジ部の温度が低くなりセンタ部で高くなるように、処理室内で基板の処理(デポ)を開始する以前から、時間とともに処理室内の温度が降下し、処理室内で基板の処理(デポ)を開始後も引続いて、時間とともに処理室内の温度を1°C/min未満で降下させるように設定する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
基板を処理する処理室と、 前記処理室を加熱する加熱手段と、 前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、 前記処理室を排気する排気手段と、 前記加熱手段を予め設定された設定温度に基づき制御する加熱制御手段と、 前記処理ガス供給手段を制御して前記処理室内で前記基板の処理を開始する処理ガス供給制御手段とを備え、 前記設定温度は、前記処理室内で前記基板の処理を開始する以前から、時間とともに前記処理室内の温度が降下するように設定されていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/52
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/52
Fターム (16件)：
4K030HA12 ,  4K030JA10 ,  4K030KA22 ,  4K030KA41 ,  5F045AA06 ,  5F045AD10 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EK06 ,  5F045EK27 ,  5F045EK30 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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