特許
J-GLOBAL ID:200903073016439005

コネクタ用接続端子の表面処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大岩 増雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-136802
公開番号(公開出願番号):特開2007-217798
出願日: 2007年05月23日
公開日(公表日): 2007年08月30日
要約:
【課題】鉛及びすずを含まない金属を用い、かつはんだぬれ性がよく、安価で信頼性のよいコネクタ用接続端子の表面処理方法を得る。【解決手段】はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の3層構造の表面処理がなされたコネクタ用接続端子の表面処理方法において、パラジウム層を電流密度1乃至10A/dm2の条件によりニッケル層上に電解めっきした後、金層を電流密度0.05乃至0.1A/dm2の条件により電解めっきを行い、パラジウム層の厚さが0.007μm以上0.1μm未満の範囲、金層の厚さが、0.003μm以上0.01μm未満の範囲、かつ金層の厚さ<パラジウム層の厚さの関係を有すると共に、金層がパラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするようにした。【選択図】図1
請求項(抜粋):
はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の3層構造の表面処理がなされたコネクタ用接続端子の表面処理方法において、上記パラジウム層を電流密度1乃至10A/dm2の条件により上記ニッケル層上に電解めっきした後、上記金層を電流密度0.05乃至0.1A/dm2の条件により電解めっきを行い、上記パラジウム層の厚さが0.007μm以上0.1μm未満の範囲、上記金層の厚さが、0.003μm以上0.01μm未満の範囲、かつ上記金層の厚さ<上記パラジウム層の厚さの関係を有すると共に、上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするようにしたことを特徴とするコネクタ用接続端子の表面処理方法。
IPC (3件):
C25D 5/12 ,  C25D 7/00 ,  C25D 5/48
FI (3件):
C25D5/12 ,  C25D7/00 H ,  C25D5/48
Fターム (13件):
4K024AA03 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AB03 ,  4K024BA09 ,  4K024BB10 ,  4K024BC10 ,  4K024CA06 ,  4K024DA09 ,  4K024DB06 ,  4K024GA04 ,  4K024GA14 ,  4K024GA16
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 配線基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-305166   出願人:京セラ株式会社
審査官引用 (7件)
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