特許
J-GLOBAL ID：200903073031052575
半導体薄膜の製造方法及びそれに用いるプラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-029086
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222520
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 薄膜を用いた低コストで高性能のデバイスを製造するため、高品質の膜を、高速かつ高歩留まりで成膜できる装置と製造方法を提供する。【構成】 プラズマ生成のエネルギーを間欠的に供給することにより、4族水素化合物あるいはその誘導体をプラズマにして活性種に分解し基板上に堆積させる半導体薄膜の製造方法であり、上記エネルギーの供給時間を、[(プラズマ内の長寿命活性種以外の活性種と反応する母ガスとの2次反応速度定数)×(母ガス分子の数)]の逆数の時間以下に設定することにより、主たる活性種以外の2次反応が抑制されていると考えられ、Si-H結合に対するSi-H2結合の含有比を小とすることができた。【効果】 パウダー発生がなく、高品質の膜を、高速かつ高歩留まりで成膜できる。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成のエネルギーを間欠的に供給することにより、4族水素化合物あるいはその誘導体をプラズマにして活性種に分解し堆積させる半導体薄膜の製造方法であって、上記エネルギーの供給時間は、[(プラズマ内の長寿命活性種以外の活性種と反応する母ガスとの2次反応速度定数)×(母ガス分子の数)]の逆数の時間以下に設定されてなることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 31/04
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 31/04 V
