特許
J-GLOBAL ID：200903073060444415

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
田中 敦彦

田中 敦彦 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206231
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037123
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の高い、樹脂封止型の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 支持板12、リード端子13、半導体素子14およびリード細線15からなる組立体の表面を潤滑性材料層19で被覆した後、樹脂封止体16で封止する。潤滑性材料層19は、シリコーンオイルからなり、樹脂封止体16の熱収縮または熱膨張から発生する熱応力の、半導体素子14等への伝達を良好に緩和する。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、前記半導体素子を支持する支持部材と、前記半導体素子に電気的に接続され、外部電極と接続可能なリード端子と、前記半導体素子および前記リード端子の表面を被覆する潤滑性材料層と、前記潤滑性材料層に被覆された前記半導体素子および前記リード端子の表面を、前記リード端子の前記外部電極と接続される部分を残して被覆する樹脂層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50
FI (3件)：
H01L 21/56 H ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/50 G
Fターム (16件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA08 ,  4M109FA05 ,  4M109FA08 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB12 ,  5F061DD14 ,  5F067AA06 ,  5F067AA07 ,  5F067BB14 ,  5F067DE08 ,  5F067DE10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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