特許
J-GLOBAL ID：200903073065651486

発光素子及びその製造方法

発明者：
近藤 雅文

近藤 雅文 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-012854
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209773
出願日： 2004年01月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 リッジ形状にドライエッチングする際に、エッチングする深さの制御を容易にし、半導体層の厚さを精度よく調整すること。【解決手段】 リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記コンタクト層をリッジ形状にドライエッチングするに際し、前記コンタクト層と前記エッチングストップ層とのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、リッジ形状にドライエッチングするに際し、前記エッチングストップ層でのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S5/223 ,  H01L21/3065 ,  H01S5/323
FI (3件)：
H01S5/223 ,  H01S5/323 610 ,  H01L21/302 105A
Fターム (15件)：
5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA04 ,  5F004DA13 ,  5F004DB19 ,  5F073AA11 ,  5F073AA53 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073HA02 ,  5F073HA08 ,  5F073HA10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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