特許
J-GLOBAL ID：200903053231703391

窒化物半導体レーザ素子とその製造方法

発明者：
大野 智輝

大野 智輝 について

, 
伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215357
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031898
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有する低雑音性の窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本発明による窒化物半導体レーザ素子は、基板11上において発光層16とともに光吸収が飽和する特性を有する可飽和吸収層18を含み、それらの発光層16と可飽和吸収層18との相互作用による自励発振特性を備えたレーザ素子であって、その可飽和吸収層18が1.0×1017/cm3以下のp型不純物を含むInGaNからなることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
基板上において発光層とともに光吸収が飽和する特性を有する可飽和吸収層を含み、前記発光層と前記可飽和吸収層との相互作用による自励発振特性を備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記可飽和吸収層は1.0×1017/cm3以下のp型不純物を含むInGaN混晶からなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/065 610 ,  G02F 1/025 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01S 5/065 610 ,  G02F 1/025 ,  H01L 21/205
Fターム (37件)：
2H079AA13 ,  2H079CA23 ,  2H079DA16 ,  2H079KA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA60 ,  5F045GB11 ,  5F045HA13 ,  5F073AA13 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB27 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA33 ,  5F073EA27
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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