特許
J-GLOBAL ID：200903092705256443
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150292
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326940
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 エッチング深さの制御性が良好で製造が容易なIII族窒化物材料系の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 サファイア基板101上に、GaNバッファ層102,n型GaNコンタクト層103,n型Al0.15Ga0.85Nクラッド層104,In0.05Ga0.95N活性層105,p型In0.07Ga0.6Al0.33Nエッチングストップ層106,p型Al0.15Ga0.85Nクラッド層107,p型GaNコンタクト層108が順次に積層されている。なお、109はp型GaNコンタクト層108上に形成されたp側電極であり、110はn型GaNコンタクト層103上に形成されたn側電極である。
請求項（抜粋）：
n型クラッド層とp型クラッド層とに活性層が挾まれた構造が基板上に積層されたIII族窒化物材料系半導体発光素子において、Inを含むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からなるエッチングストップ層が活性層の近傍に積層されており、上記エッチングストップ層の表面までInを含まないIII族窒化物材料からなる層をエッチングしてストライプ構造が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
引用文献：
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