特許
J-GLOBAL ID：200903073102596865

高電圧出力回路のプルアップトランジスタアレイ

発明者：
邊 在日

邊 在日 について

, 
孫 日憲

孫 日憲 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-279331
公開番号（公開出願番号）：特開2004-064090
出願日： 2003年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】 高電圧出力回路のプルアップトランジスタアレイを提供する。【解決手段】 このトランジスタアレイは、半導体基板上にエピタキシャル層が形成され、エピタキシャル層にn個の二重拡散トランジスタDMOS Tr.が横に配列される。前記各二重拡散トランジスタのソース/ドレインのうちの一つは各トランジスタに個別的に形成され、他の一つのソース/ドレインは前記n個の二重拡散トランジスタが共有する。これによって、このプルアップトランジスタアレイは高電圧及び高電流の信号を出力することができ、二重拡散トランジスタの間に素子分離領域が要求されないので、素子を高集積化することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されたエピタキシャル層と、 前記エピタキシャル層に横に配列されたn個の二重拡散トランジスタと、を含み、 前記各二重拡散トランジスタのソース/ドレインのうちの一つは各トランジスタに個別的に形成され、他の一つのソース/ドレインは前記n個の二重拡散トランジスタに共有されていることを特徴とする高電圧出力回路のプルアップトランジスタアレイ。
IPC (3件)：
H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L27/08 102B ,  H01L29/78 301W
Fターム (47件)：
5F048AA01 ,  5F048AA05 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048BA02 ,  5F048BA07 ,  5F048BA12 ,  5F048BB01 ,  5F048BB16 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BF18 ,  5F048BG12 ,  5F140AA25 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AB04 ,  5F140AC01 ,  5F140AC21 ,  5F140BB01 ,  5F140BC12 ,  5F140BF52 ,  5F140BF54 ,  5F140BF60 ,  5F140BH02 ,  5F140BH04 ,  5F140BH08 ,  5F140BH10 ,  5F140BH19 ,  5F140BH25 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ27 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CD02 ,  5F140CF05
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特開平2-028953
  • 高耐圧集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-345294   出願人：富士電機株式会社
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-335869   出願人：三洋電機株式会社
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審査官引用 (8件)
  • 特開平2-028953
  • 特開平2-028953
  • パワーMOSFET
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-010984   出願人：日産自動車株式会社
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