特許
J-GLOBAL ID:200903073162534419
半導体装置の試験方法及び試験装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-130404
公開番号(公開出願番号):特開2001-313320
出願日: 2000年04月28日
公開日(公表日): 2001年11月09日
要約:
【要約】【課題】 ウェハ状態での配線の信頼性評価試験において、配線の信頼性パラメータを個別にかつ正確に求めることができる半導体装置の試験方法及び試験装置を提供する。【解決手段】 ウェハ10上の試験用配線に、交流電流と直流電流とが重畳された電流を流してジュール発熱させ、交流電流及び直流電流を個別に変化させて、配線の温度及びストレス電流を個別に制御する。
請求項(抜粋):
交流電流と直流電流とが重畳された電流を配線に流して該配線をジュール発熱させ、前記交流電流及び前記直流電流を個別に変化させて前記配線の温度及びストレス電流を制御することを特徴とする半導体装置の試験方法。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L 21/66 H
, H01L 21/66 S
, G01R 31/30
Fターム (19件):
2G032AA00
, 2G032AB03
, 2G032AD08
, 2G032AE14
, 2G032AL00
, 4M106AA01
, 4M106AA07
, 4M106AC02
, 4M106AC05
, 4M106CA04
, 4M106CA16
, 4M106CA31
, 4M106CA56
, 4M106CA70
, 4M106DH01
, 4M106DH02
, 4M106DH51
, 4M106DH60
, 4M106DJ24
引用特許: