特許
J-GLOBAL ID：200903073253189129
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 由己男
, 堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057874
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245231
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】半導体層上に高反射効率を有する銀又は銀を主体とする電極が接触して形成されている場合において、銀の半導体へのマイグレーションを有効に防止して、信頼性の高い、高品質の半導体発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】第1及び第2導電型半導体層を少なくとも有し、前記第1及び第2半導体層にそれぞれ接続された第1及び第2電極を備え、前記第1及び第2電極は前記第1半導体層の同一面側に配置されて構成される半導体素子であって、前記第2電極は、銀又は銀合金含有第1金属膜6と、該第1金属膜を被覆し、銀以外の金属含有第2金属膜7とを有すると共に、前記第1電極に対向する第1領域と、第2領域とを有し、かつ前記前記第1領域の少なくとも一部における第1金属膜の端部と第2金属膜の端部との距離が、前記第2領域における該距離よりも小さくなるように設けられている半導体素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層とを少なくとも有し、前記第1導電型半導体層に接続された第1電極と、前記第2導電型半導体層に接続された第2電極とを備え、前記第1電極と第2電極とは前記第1導電型半導体層の同一面側に配置されて構成される半導体素子であって、
前記第2電極は、銀又は銀合金を含む第1金属膜と、該第1金属膜を被覆し、銀とは異なる金属からなる第2金属膜とを有すると共に、前記第1電極に対向する第1領域と、第2領域とを有し、かつ前記前記第1領域の少なくとも一部における第1金属膜の端部と第2金属膜の端部との距離が、前記第2領域における該距離よりも小さくなるように設けられていることを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA86
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA19
, 5F041DA36
, 5F041DA41
, 5F041EE25
, 5F041FF11
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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