薄膜トランジスタアレイ及びその製法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：清原義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-038429
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220820
出願日： 2006年02月15日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】酸化亜鉛の配向を変化させることで、酸化物半導体薄膜層は、耐熱性、表面平滑性に優れたものとし、リーク電流の抑制、電流駆動能力の向上を図る。一方、画素電極は微細加工性に優れたものとし、画素の高精細化を可能とする。【解決手段】基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、酸化亜鉛を主成分とする画素電極を少なくとも有し、該酸化物半導体薄膜層の酸化亜鉛の配向と該画素電極の酸化亜鉛の配向が異なることを特徴とする薄膜トランジスタアレイを提供する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、酸化亜鉛を主成分とする画素電極を少なくとも有し、前記酸化物半導体薄膜層の酸化亜鉛の配向と前記画素電極の酸化亜鉛の配向が異なることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 620 , H01L29/78 618B , H01L29/78 612Z

Fターム (24件)：

5F110AA06 , 5F110AA18 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG17 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110NN72 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (6件)

特許第2787198号公報
半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-082043 出願人：科学技術振興事業団
薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-112883 出願人：シャープ株式会社

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