特許
J-GLOBAL ID：200903023380574727

薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法

発明者：
八木 敏文

八木 敏文 について

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津幡 俊英

津幡 俊英 について

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嶋田 吉祐

嶋田 吉祐 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 祐二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-112883
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302808
出願日： 2004年04月07日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】フォトリソグラフィ工程の回数を従来の製造方法よりも減らして、TFTアレイ基板の製造工程の短縮及び製造コストの低減を可能にする。【解決手段】第1工程において、ゲート電極2cを形成する。第2工程において、その上に、ゲート絶縁膜3、半導体膜4、透明導電膜5を含む導電膜を積層して、その積層体の上にレジスト層を形成した後に、そのレジスト層に対し、所定位置で導電膜を露出させる第1開口部7cと、ゲート電極2cの上方位置で所定厚さの底部を有する第2開口部7dと、をそれぞれ形成してレジストパターンを形成する。そして、第1開口部7cから露出している導電膜及びその下方の半導体膜をエッチングして、第2開口部7dの底部を除去して導電膜を露出させ、その導電膜をエッチングして、TFT8を形成する。第3工程において、保護層8及び画素電極5aを形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板に設けられた複数の画素と、該各画素毎に配置され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及び上記ゲート電極に対応してチャネル部が形成された半導体膜を有する複数の薄膜トランジスタと、上記ソース電極に接続されたソース線と、上記ドレイン電極に接続された画素電極とを備えた薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法であって、 上記基板上に上記ゲート電極をフォトリソグラフィ法によりパターン形成する第1工程と、 上記ゲート電極が形成された基板に対し、ゲート絶縁膜、上記半導体膜、及び該半導体膜を覆うように設けられた透明導電膜を含む導電膜をこの順に積層して積層体を形成し、該積層体に対してフォトリソグラフィ法により上記薄膜トランジスタをパターン形成する第2工程と、 フォトリソグラフィ法によって、上記薄膜トランジスタを覆う保護層を形成すると共に、上記透明導電膜の一部を露出させて上記画素電極を形成する第3工程とを備え、 上記第2工程は、上記積層体を覆うレジスト層を形成した後に、該レジスト層に対し、上記積層体の領域であって上記チャネル部、ソース線、ソース電極及びドレイン電極となる部分以外の領域の上方位置に上記導電膜を露出させる第1開口部と、上記チャネル部となる積層体の領域の上方位置に所定厚さの底部を有する第2開口部とをそれぞれ形成するレジストパターン形成工程と、上記第1開口部から露出している上記導電膜と、該導電膜の下方の半導体膜とをエッチングする第1エッチング工程と、上記第2開口部の底部を除去して露出させた導電膜をエッチングする第2エッチング工程とを備えていることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
IPC (8件)：
H01L29/786 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (11件)：
H01L29/78 619B ,  G02F1/1335 520 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 R
Fターム (112件)：
2H091FA14Y ,  2H091FA34Y ,  2H091FC26 ,  2H091GA01 ,  2H091GA02 ,  2H091GA03 ,  2H091GA07 ,  2H091GA13 ,  2H091GA16 ,  2H091LA12 ,  2H091LA30 ,  2H092GA40 ,  2H092JA24 ,  2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA12 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH33 ,  5F033HH38 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ19 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX10 ,  5F033XX16 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20 ,  5F033XX33 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110AA21 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110GG48 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35 ,  5F110NN43 ,  5F110NN44 ,  5F110NN49 ,  5F110NN50 ,  5F110NN52 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (10件)
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