特許

J-GLOBAL ID：200903073374776498

不純物添加装置および半導体装置の作製方法

発明者： 磯部 敦生
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-195163
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016116
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体装置の作製工程において、不純物を添加した領域のシート抵抗を作製工程の早期の段階で予測する。【解決手段】 熱活性化前の不純物を添加した領域のラマンスペクトルと熱活性化後のシート抵抗との間に相関があることを利用する。例えば、不純物添加領域のシート抵抗を1kΩ/□以下にしたい場合、イオンドーピング後514.5mmのレーザーを用いてラマンスペクトル測定をして、ラマン散乱スペクトルのピークが515.5cm-1以下であれば可、以上であればさらに不純物添加の要がある。

請求項（抜粋）：

結晶性半導体に、イオン注入またはイオンドーピングを用いて不純物を添加する第一の工程と、前記第一の工程において不純物を添加した領域のラマン散乱光スペクトルを測定する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 T ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 624

Fターム (67件)：

4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CB01 ,  4M106DH13 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA24 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE27 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HJ30 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL27 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 多結晶半導体材料、その製造方法、それを用いた半導体装置及びその評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-239752   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-348457   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-329764   出願人：富士通株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-205681   出願人：シャープ株式会社