特許
J-GLOBAL ID：200903073386246990
ポジ型レジスト組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 平八
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-286168
公開番号（公開出願番号）：特開平8-015864
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【構成】樹脂成分と、放射線の照射により酸を発生する化合物を含むポジ型レジスト組成物において、前記樹脂成分が(A)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンと(B)水酸基の10〜60モル%が、一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子またはメチル基であり、R2はメチル基またはエチル基であり、R3は低級アルキル基である)で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。【効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、化学増幅型であって、高感度、高解像性で耐熱性及び断面形状の良好なレジストパターンを形成でき、deep-UVやエキシマレーザー用レジストとして好適で、超LSIの製造工程の微細加工に特に有効に使用できる。
請求項（抜粋）：
樹脂成分と、放射線の照射により酸を発生する化合物を含むポジ型レジスト組成物において、前記樹脂成分が(A)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンと(B)水酸基の10〜60モル%が、一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は低級アルキル基である)で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
