特許
J-GLOBAL ID：200903073386558054
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-363310
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188380
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 キャパシタのリーク電流を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上に形成され、ゲート電極18と一対のソース/ドレイン拡散層16、17とを有するトランジスタと、ゲート電極18の側面に形成されたサイドウォール絶縁膜20と、一方のソース/ドレイン拡散層17に、一方の電極40が接続されたキャパシタ46と、蓄積電極40下のシリコン基板の表面側に形成され、ソース/ドレイン拡散層より不純物濃度が高い第1の不純物拡散層36とを有し、ソース/ドレイン拡散層は、サイドウォール絶縁膜の外側の領域からサイドウォール絶縁膜の内側の領域にかけて不純物プロファイルが緩やかになっている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、ゲート電極と一対のソース/ドレイン拡散層とを有するトランジスタと、前記ゲート電極の側面に形成されたサイドウォール絶縁膜と、一方の前記ソース/ドレイン拡散層に、一方の電極が接続されたキャパシタと、前記蓄積電極下の前記シリコン基板の表面側に形成され、前記ソース/ドレイン拡散層より不純物濃度が高い第1の不純物拡散層とを有し、前記ソース/ドレイン拡散層は、前記サイドウォール絶縁膜の外側の領域から前記サイドウォール絶縁膜の内側の領域にかけて不純物プロファイルが緩やかになっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 671 Z
5F083AD22
, 5F083AD42
, 5F083AD48
, 5F083GA05
, 5F083GA06
, 5F083JA35
, 5F083KA05
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA02
, 5F083PR12
, 5F083PR21
, 5F083PR36
