特許
J-GLOBAL ID：200903073389444084
高出力マイクロ波装置用高抵抗炭化珪素基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-532839
公開番号（公開出願番号）：特表2001-509768
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：
【要約】炭化珪素から組み立てられ、1500Ω-cmより大きい抵抗を有する、半導体装置用の基板。この基板は、混入された深い準位の不純物を有することを特徴とし、深い準位の不純物要素は、選択される重金属、水素、塩素及びフッ素の1つからなる。選択される重金属は、周期律表のIIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB及びIIB群の金属である。
請求項（抜粋）：
単一のポリタイプ炭化珪素から組み立てられ、少なくとも1500Ω-cmの固有抵抗を有し、深い準位の不純物が混入されてなることを特徴とする半導体装置用の材料組成物。
IPC (4件)：
C30B 29/36
, H01L 21/02
, H01L 21/203
, H01L 21/205
C30B 29/36 A
, H01L 21/02 B
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/205
審査官引用 (2件)
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高低抗炭化ケイ素の製法
公報種別：公表公報
出願番号：特願平7-505534
出願人：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
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特表平3-501118
引用文献：
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