特許
J-GLOBAL ID：200903073395272112

基板の評価方法

発明者：
久保田 稔

久保田 稔 について

, 
倉吉 真一郎

倉吉 真一郎 について

, 
田中 秀哉

田中 秀哉 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 康司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-116282
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297660
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高い再現性を有し基板の処理対象面の損傷を包括的に解析可能な測定方法によって,処理体の接触圧に対する基板の表面の損傷の定量的なデータを得ることができる基板の評価方法。【解決手段】 ウェハWの表面の状態を観察して評価する評価方法において,ウェハWの表面に予め形成されたレジスト膜15の表面の状態を観察する第1の工程と,所定の接触圧で処理体12を接触させてウェハWの表面をスクラブ洗浄処理する第2の工程と,スクラブ洗浄処理後のレジスト膜15の表面の状態を観察する第3の工程とを有し,スクラブ洗浄処理の前後に渡って観察されたレジスト膜15の表面の状態変化を比較することにより,処理体12の接触圧とウェハWの表面の損傷との関係を評価する。
請求項（抜粋）：
基板の処理対象面の状態を観察して評価する評価方法において,基板の処理対象面に予め形成された膜の表面の状態を観察する第1の工程と,所定の接触圧で処理体を接触させて前記基板の処理対象面を処理する第2の工程と,処理後の前記膜の表面の状態を観察する第3の工程とを有し,前記第1の工程で観察された処理前の膜の表面の状態と前記第3の工程で観察された処理後の膜の表面の状態とを比較することにより,前記処理体の接触圧と前記基板の処理対象面の損傷との関係を評価することを特徴とする,基板の評価方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 644 ,  G01B 11/30 ,  H01L 21/66
FI (5件)：
H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/304 644 B ,  G01B 11/30 D ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM