特許
J-GLOBAL ID：200903073412362538
磁気抵抗効果薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
福田 武通 (外3名)
, 福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204443
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340425
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗変化率が非常に大きな磁気抵抗効果薄膜を提案する。【解決手段】 強磁性粒子を非磁性膜にて覆った磁気抵抗効果薄膜1であり、強磁性粒子2は基板5上に作製され、非磁性膜3を介した電極4間の抵抗が、磁場の印加により従来の磁気抵抗効果材料に比べて非常に大きく変化する。例えば、強磁性粒子は、MnSb、MnAs、砒化クロム、Fe、Co、Ni等の材料で構成され、非磁性膜は、Sb、Au、Cu、Ag、Al、As、Bi、Si、Ge、GaAs、AlAs、InAs、InSb、GaN、AlN 、ZnO 、ZnSe、CdTe、CdS 、酸化アンチモン、酸化マンガン、酸化アルミニウム等の材料で構成される。
請求項（抜粋）：
強磁性粒子を非磁性膜にて覆い、その非磁性膜を介した電極間の抵抗が磁場の印加により変化するようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果薄膜。
IPC (3件)：
H01F 10/08
, C23C 14/06
, H01L 43/08
H01F 10/08 A
, C23C 14/06 G
, H01L 43/08 Z
4K029AA02
, 4K029BA21
, 4K029BC06
, 4K029BD11
, 4K029EA01
, 5E049AA10
, 5E049AC00
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB10
, 5E049CC01
