表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-144427
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349097
出願日： 2003年05月22日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】TFTに接続された回路を形成するための層構造を削減可能なアクティブマトリックス型の表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】表示領域1aを構成する各画素3にTFT(薄膜トランジスタ)5が設けられ、TFT5を覆う層間絶縁膜25上の各画素3にTFT5に接続した下部電極27が画素電極としてパターン形成された駆動基板を有し、駆動基板における表示領域1aの周囲の周辺領域1bには、下部電極27と同一層で形成された接続配線27bが設けられている。この接続配線27bは、TFT5に接続された電源線v1,v2,...間を接続する接続配線である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上の表示領域を構成する各画素に設けられた薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタを覆う状態で設けられた層間絶縁膜と、前記薄膜トランジスタに接続された下部電極上に有機層および上部電極をこの順に積層させた状態で前記層間絶縁膜上の各画素に設けられた有機EL素子とを有する表示装置において、前記層間絶縁膜上における前記表示領域の周囲には、前記下部電極および上部電極の少なくとも一方と同一層で形成された配線が設けられていることを特徴とする表示装置。

IPC (3件)：

H05B33/26 , G09F9/30 , H05B33/14

FI (4件)：

H05B33/26 Z , G09F9/30 338 , G09F9/30 365Z , H05B33/14 A

Fターム (15件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 5C094AA43 , 5C094AA45 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB04 , 5C094EA07 , 5C094FB01 , 5C094FB16

引用特許：

審査官引用 (11件)

発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-200496 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-124964 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-232928 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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