単結晶引上装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-321798
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139392
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】【課題】 ΔGの低減により、COP等の欠陥が少ない半導体単結晶の製造が可能な結晶引上装置を提供する。【解決手段】本発明の結晶引上装置1は、シリコン融液Mを貯留する石英ルツボ3と、石英ルツボ3を収容して支持するカーボンサセプタ4と、シリコン融液Mを加熱するヒータ6とがチャンバー2内に設けられている。そして、カーボンサセプタ4の上部には、ここから熱が逃げるのを防止するためのカーボン繊維等の材料からなる断熱材5が設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体融液を貯留する石英ルツボと該石英ルツボを収容して支持するカーボンサセプタと前記半導体融液を加熱するヒータとがチャンバー内に設けられた単結晶引上装置において、前記カーボンサセプタの上部に断熱材が設けられたことを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (3件)：

C30B 15/10 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/10 , C30B 29/06 502 B , H01L 21/208 P

Fターム (19件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077BE46 , 4G077CF10 , 4G077EG02 , 4G077EG18 , 4G077EG25 , 4G077PD11 , 4G077PD16 , 5F053AA12 , 5F053BB04 , 5F053BB13 , 5F053BB60 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053RR03 , 5F053RR04 , 5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (6件)

単結晶の製造方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-133677 出願人：日立電線株式会社
単結晶引上装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-217108 出願人：信越半導体株式会社
結晶体引上げ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-346426 出願人：コマツ電子金属株式会社

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