特許
J-GLOBAL ID：200903073559251804

III-V族窒化物系半導体基板及びその製造方法

発明者：
大島 祐一

大島 祐一 について

, 
柴田 真佐知

柴田 真佐知 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258387
公開番号（公開出願番号）：特開2007-070154
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】III-V族窒化物系半導体厚膜層中の不純物プロファイルを適正に制御することによって、結晶方位分布の少ない、高品質なIII-V族窒化物系半導体結晶を有するIII-V族窒化物系半導体基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】SiドープGaN厚膜12は、図示しないサファイア基板上に、アンドープ部13、Siドープ部14を順次エピタキシャル成長させた後、サファイア基板から剥離して得られ、SiドープGaN厚膜12の両面をそれぞれ100μmづつ研磨することにより厚さ400μmのGaN自立基板15が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
同一組成からなるIII-V族窒化物系半導体厚膜内に、所定の不純物濃度を含有する第1の領域と、該第1の領域より低い不純物濃度を含有する第2の領域とを設けたことを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (5件)：
C30B29/38 D ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (48件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077EB01 ,  4G077EC10 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC12 ,  4G077TC13 ,  4G077TJ06 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA18 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ15 ,  5F173AJ20 ,  5F173AJ43 ,  5F173AP04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP56 ,  5F173AP57 ,  5F173AP60 ,  5F173AQ02 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開平4-297023号公報
審査官引用 (6件)
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