特許
J-GLOBAL ID：200903077504386617
III-V族窒化物系半導体基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-368828
公開番号（公開出願番号）：特開2005-132657
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】基板上に窒化物系結晶層をエピタキシャル成長させた際に、デバイス作成上問題となるようなヒロックやテラスなどの表面荒れを抑えられる、十分に実用に足るエピタキシャル成長が可能なIII-V族窒化物系半導体基板を提供すること。【解決手段】III-V族窒化物系単結晶からなり、平坦な表面を有するIII-V族窒化物系半導体基板であって、基板面内の任意の複数点で測定した基板表面に最も近い低指数面と基板表面がなす角度の平均値θ(deg)と、そのθに対する前記測定した角度のばらつきの範囲±α(deg)が、θ>αの関係を満たしている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物系単結晶からなり、平坦な表面を有するIII-V族窒化物系半導体基板であって、基板面内の任意の複数点で測定した基板表面に最も近い低指数面と基板表面がなす角度の平均値θ(deg)と、そのθに対する前記測定した角度のばらつきの範囲±α(deg)が、θ>αの関係を満たしていること特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077DB08
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077TK11
, 5F052CA01
, 5F052CA04
, 5F052CA08
, 5F052DA04
, 5F052KA01
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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