特許
J-GLOBAL ID:200903073605516184
磁器用原料粉末およびその製造方法、磁器およびその製造方法、積層セラミック電子部品の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
原 謙三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-073547
公開番号(公開出願番号):特開2002-274940
出願日: 2001年03月15日
公開日(公表日): 2002年09月25日
要約:
【要約】【課題】 低抵抗で、十分な抵抗変化幅を有するBa/Ti比を従来のものに比べ広くとることのできる半導体等の磁器用原料粉末の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくともバリウムおよびチタンを含む原料粉末を混合して、混合粉末を得る混合工程と、上記混合粉末を所定温度で仮焼した後、粉砕して、仮焼粉末を得る仮焼工程と、上記仮焼粉末を洗浄する洗浄工程と、上記洗浄工程の後に、バリウムを上記仮焼粉末に補充する組成比補正工程と、を含み、かつ、上記仮焼工程を複数回繰り返す。
請求項(抜粋):
少なくともバリウムおよびチタンを含む原料粉末を混合して、混合粉末を得る混合工程と、上記混合粉末を所定温度で仮焼した後、粉砕して、仮焼粉末を得る第1の仮焼工程と、先の仮焼工程で得られた仮焼粉末を所定温度で仮焼した後、粉砕して、仮焼粉末を得る第2の仮焼工程とを含み、かつ、上記第2の仮焼工程を1回以上行うことを特徴とする磁器用原料粉末の製造方法。
IPC (3件):
C04B 35/46
, C01G 23/00
, H01C 7/02
FI (3件):
C04B 35/46 N
, C01G 23/00 C
, H01C 7/02
Fターム (13件):
4G031AA06
, 4G031AA11
, 4G031AA39
, 4G031CA03
, 4G031GA01
, 4G047CA07
, 4G047CB04
, 4G047CC03
, 4G047CD03
, 5E034AB01
, 5E034AC02
, 5E034BB01
, 5E034DE07
引用特許:
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