特許
J-GLOBAL ID:200903073642054433
半導体基板のための研磨剤
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-504211
公開番号(公開出願番号):特表2001-511468
出願日: 1998年07月21日
公開日(公表日): 2001年08月14日
要約:
【要約】本発明は、溶液と、該溶液中に懸濁している研磨粒子とを有する研磨剤に関する。この研磨剤は、研磨粒子が実質的に、ガラス転移温度TGを有する物質からなっており、かつ研磨粒子がドーピング物質を含有していることを特徴としている。この場合、ドーピング物質の濃度は、ドーピングされる物質のガラス転移温度TG′が、ドーピングされない第一の物質のガラス転移温度TGよりも低いように確定されている。このような研磨剤は、半導体基板または該半導体基板上に設置された層のマイクロスクラッチのない平坦化のために使用することができる。
請求項(抜粋):
溶液と、該溶液中に懸濁している研磨粒子とを含有する研磨剤において、 研磨粒子が実質的にガラス転移温度TGを有する第一の物質からなり、 かつ該研磨粒子がドーピング物質を含有しており、 その際、ドーピングされた物質のガラス転移温度TG′が、ドーピングされていない第一の物質のガラス転移温度TGよりも低いようにドーピング物質の濃度が確定されていることを特徴とする、研磨剤。
IPC (3件):
C09K 3/14 550
, B24B 37/00
, H01L 21/306
FI (3件):
C09K 3/14 550 Z
, B24B 37/00 H
, H01L 21/306 M
Fターム (9件):
3C058AA07
, 3C058CA01
, 3C058CB01
, 3C058DA02
, 5F043BB30
, 5F043DD16
, 5F043DD30
, 5F043FF07
, 5F043GG10
引用特許:
出願人引用 (13件)
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研磨材、その製造方法及び研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-313621
出願人:三井金属鉱業株式会社
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特開昭53-149203
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特開昭54-101588
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審査官引用 (2件)
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