特許
J-GLOBAL ID：200903073681650965

3軸方位センサー

発明者：
竹内 靖人

竹内 靖人 について

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古市 眞治

古市 眞治 について

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山口 聡

山口 聡 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-190591
公開番号（公開出願番号）：特開2006-010591
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 地磁気の検出精度が高く、薄型で作製が容易な3軸方位センサーを提供する。【解決手段】 MR素子からなる2軸の磁気検知部と1軸の検知部を可撓性基材上に形成し、両検知部を電気的に接続する薄膜導体部で可撓性基材を曲げることで3軸方位センサーを得る。MR素子は地磁気の検出精度が高く磁気検知方向を小さいパターンとすることができるので、検出精度が高く薄型の3軸方位センサーとすることができる。また本発明は、3軸方向の磁気検知部をひとつの可撓性基材上に集約しそれを曲げればよいので、部品点数を増やすことなく容易な作業で3軸方位センサーを得ることができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
3軸(X軸,Y軸,Z軸)方向の地磁気を検知する磁気抵抗効果型の3軸方位センサー であって、センサーチップを構成するX軸とY軸の検知部Aと、Z軸の検知部B、薄膜導 体、電極端子の全てが可撓性基材上に形成され、検知部Aと検知部Bは薄膜導体により電 気的に接続され、センサーチップは前記薄膜導体部で曲げられ、直角面を有する非磁性母 材の各面に接着されていることを特徴とする3軸方位センサー。
IPC (4件)：
G01C 17/30 ,  H01L 43/02 ,  H01L 43/08 ,  G01R 33/09
FI (4件)：
G01C17/30 Z ,  H01L43/02 Z ,  H01L43/08 Z ,  G01R33/06 R
Fターム (2件)：
2G017AA16 ,  2G017AD54
引用特許：
出願人引用 (4件)
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