半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高田守 , 高橋英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-249563
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072848
出願日： 2006年09月14日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】逆導通IGBTのチップを用いて構成した半導体装置において、ダイオードの順方向降下電圧の上昇を抑える。【解決手段】IGBT5aと主ダイオード5bが逆並列に接続された半導体チップ5に、主ダイオード5bに流れる電流をモニタするためのダイオード5cを搭載し、外部抵抗9を介して主ダイオード5bと並列接続する。還流モード判定手段7は、外部抵抗9の両端の電圧が所定の基準電圧値よりも低い場合、電流が主ダイオード5bを還流する還流モードであると判定する。そして、遮断回路3は、入力回路2から駆動回路4へ送出された駆動信号を遮断する。これにより、還流モードである場合には、IGBT5aがオンしないので、主ダイオード5bの順方向降下電圧の上昇を抑えることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スイッチング素子と、前記スイッチング素子の電流方向と逆方向の電流が流れる向きに、前記スイッチング素子に並列に接続されたダイオードとを有する半導体チップと、前記スイッチング素子に接続され、前記スイッチング素子をオンさせるためのオン信号を前記スイッチング素子に送る駆動手段と、前記駆動手段に接続され、前記オン信号に対応する駆動信号を前記駆動手段に送る入力手段と、前記ダイオードに接続され、前記ダイオードに流れる電流を検出するための検出手段と、前記検出手段に接続され前記電流が前記ダイオードを還流する還流モードであるか否かを判定する還流モード判定手段と、前記還流モード判定手段、前記入力手段、及び前記駆動手段に接続され、前記還流モード判定手段により前記還流モードであると判定された場合、前記駆動信号を遮断する遮断手段と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H02M 1/00 , H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H02M 7/48

FI (6件)：

H02M1/00 H , H01L29/78 655Z , H01L29/78 657D , H01L29/78 657F , H01L27/06 102A , H02M7/48 E

Fターム (18件)：

5F048AB07 , 5F048AB10 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BB05 , 5F048BB20 , 5F048BD07 , 5H007CA01 , 5H007CB12 , 5H007CC07 , 5H007DB02 , 5H007DB03 , 5H007DC02 , 5H740BA11 , 5H740BB08 , 5H740BC02 , 5H740JB01 , 5H740MM11

引用特許：

出願人引用 (1件)

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法、並びに、インバータ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-021294 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (9件)

特開平2-202375
特開平4-275071
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-104546 出願人：三菱電機株式会社

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