酸化セリウム研磨剤、半導体チップ、それらの製造法及び基板の研磨法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-327883
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189291
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】グローバルな平坦化が可能で、かつ、微細な配線間の埋め込み性が良好で誘電率の低い有機SOG膜、有機高分子樹脂膜の絶縁膜を研磨する。【解決手段】次の酸化セリウム粒子を水に分散させたスラリーを含む研磨剤。(1)炭酸セリウム分散水溶液に過酸化水素を添加して得られる酸化セリウム粒子。(2)硝酸セリウム水溶液に炭酸水素アンモニウムを添加して得られた沈殿物を過酸化水素で酸化して得た酸化セリウム粒子。(3)硝酸アンモニウムセリウム水溶液を中性又はアルカリ性にして得られる酸化セリウム粒子。

請求項（抜粋）：

水中に酸化セリウム粒子を分散させたスラリーを含む、所定の基板上に設けられた絶縁膜を研磨する酸化セリウム研磨剤。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 Q , B24B 37/00 H , B24B 37/00 Z , C09K 3/14 550 D , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-055315
特表昭63-502656
酸化物粒子及びその製造法
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-505280 出願人：ロデールインコーポレーテッド

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