特許
J-GLOBAL ID:200903073781184619

合成石英ガラス製プリフォームおよびその製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 斎藤 侑 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-539198
公開番号(公開出願番号):特表2001-516325
出願日: 1998年03月06日
公開日(公表日): 2001年09月25日
要約:
【要約】本発明は、火炎加水分解およびそれに続く冷却により製造され、波長250nm未満の高エネルギーDUV照射に適した合成石英ガラス製プリフォームに関する。このプリフォームは、OH含有量≧1150ppm、応力複屈折≦5nm/cm、及び高エネルギーDUV照射に対する耐性が厚さ1cmにつき透過率低下ΔT≦0.1%で示されるコア部を有する。この石英ガラスを下記の条件で照射した。波長λ1=248nm、レーザー入射周波数≧300Hz、レーザー入射回数≧109、エネルギー密度≦10mJ/cm2、または波長λ2=193nm、レーザー入射周波数≧300Hz、レーザー入射回数≧109、エネルギー密度≦5mJ/cm2の条件で照射した。プリフォームを製造するための装置は、大きさの異なる2つの対向する開口部を有し水平に置かれたマッフル炉を備える。大きい方の開口部からプリフォームを取り出し、小さい方の開口部からバーナーを挿入する。マッフル炉の内部チャンバは大きい開口部から小さい開口部に向かって狭められている。
請求項(抜粋):
1 火炎加水分解およびそれに続く冷却により製造された合成石英ガラスから成り波長250nm以下の高エネルギーDUV輻射に使用するのに適したプリフォームであって、OH含有量≧1150ppm、応力複屈折≦5nm/cmであり、かつ波長λ1=248nm、レーザー入射周波数≧300Hz、レーザー入射回数≧109、エネルギー密度≦10mJ/cm2、または波長λ2=193nm、レーザー入射周波数≧300Hz、レーザー入射回数≧109、エネルギー密度≦5mJ/cm2の条件で照射したときの高エネルギーDUV輻射に対する耐性が厚さ1cmにつきΔT≦0.1%の透過率低下で示されるコア部を有することを特徴とするプリフォーム。2 照射条件を変化させたとき、透過率低下は変化するがダメージ挙動は変化しないことを特徴とする、請求項1のプリフォーム。3 コア部の直径がプリフォームの直径の少なくとも50%であることを特徴とする、請求項2のプリフォーム。4 体積内部に層状構造を示さないことを特徴とする、請求項3のプリフォーム。5 コア部のOH含有量が≧1250ppmであることを特徴とする、請求項4のプリフォーム。6 Cl含有量が≦20ppmであることを特徴とする、請求項4のプリフォーム。7 コア部のH2含有量が分子≧1×1018個/cm3であることを特徴とする、請求項4のプリフォーム。8 少なくともコア部の微量不純物元素の含有量が最大500ppbであることを特徴とする、請求項4のプリフォーム。9 コア部の断面を通じてOH含有量が許容差±10ppmの範囲内で一定であることを特徴とする、請求項1または5のプリフォーム。10 コア部の少なくとも一部において屈折率の均一性が≦0.5×10-6であることを特徴とする、前記請求項のいずれかのプリフォーム。11 水平に置かれ、大きさの異なる2つの向かい合う開口部を有するマッフル炉を備え、大きい方の開口部からプリフォームを取り出し、小さい方の開口部からバーナーを挿入し、かつ前記マッフル炉の内部空間が大きい開口部から小さい開口部に向かって絞られていることを特徴とする、請求項1〜10の少なくとも1つのプリフォームを製造するための装置。12 前記マッフル炉の全長が少なくともガラス製プリフォームの直径の2倍であることを特徴とする、請求項11の装置。13 前記プリフォームの前端面が前記マッフル炉の内部空間の中心に位置することを特徴とする、請求項11の装置。14 前記マッフル炉が3層構造によって構成されることを特徴とする、請求項11の装置。15 前記プリフォームの表面と前記マッフル炉内部空間の境界面との距離が5〜100mmであることを特徴とする、請求項11の装置。16 前記バーナーと前記プリフォームの前端面との間の距離が135〜350mmであることを特徴とする、請求項11の装置。17 前記小さい開口部が、その内部に調節可能なようにバーナーが設置され、直径が50〜100mmであることを特徴とする、請求項11の装置。
IPC (4件):
C03B 8/04 ,  C03B 20/00 ,  C03C 3/06 ,  G02B 1/00
FI (4件):
C03B 8/04 A ,  C03B 20/00 Z ,  C03C 3/06 ,  G02B 1/00
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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