半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-135301
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332340
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】配線溝の上端角部が削れることなく埋込み配線を形成する。【解決手段】絶縁膜27上に絶縁膜28、29および30とフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンをエッチングマスクとして絶縁膜30を除去し、開口部32を形成する。フォトレジストパターンを除去し、絶縁膜30をエッチングマスクとして開口部32から露出する絶縁膜29を除去し、絶縁膜33、34、35および36とフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンをエッチングマスクとして絶縁膜34、35および36を選択的に除去し、開口部38を形成する。開口部38から露出する絶縁膜33をエッチングしかつ開口部38の底部で開口部32から露出した絶縁膜28をエッチングしながら、フォトレジストパターンを除去する。絶縁膜36と開口部32から露出する絶縁膜27を除去した後、開口部32および38内に銅配線を形成する。

請求項（抜粋）：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;(a)半導体基板を準備する工程、(b)前記半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程、(c)前記第1の絶縁膜上に、低誘電率材料からなる第2の絶縁膜を形成する工程、(d)前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成する工程、(e)前記第3の絶縁膜上に第4の絶縁膜を形成する工程、(f)前記第4の絶縁膜上にマスクパターンを形成する工程、(g)前記マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記第4の絶縁膜を選択的に除去して第1の開口部を形成する工程、(h)前記第1の開口部から露出する前記第3の絶縁膜を除去する工程、(i)前記第1の開口部から露出する前記第2の絶縁膜と、前記マスクパターンとを除去する工程、(j)前記第1の開口部内に配線を形成する工程。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/90 J

Fターム (55件)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK23 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN06 , 5F033PP06 , 5F033QQ00 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ90 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (4件)

多層配線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-339279 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-159545 出願人：株式会社日立製作所
集積回路およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-106473 出願人：エスティマイクロエレクトロニクス

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