SOI基板の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-094596
公開番号（公開出願番号）：特開2009-252755
出願日： 2008年04月01日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

【課題】一方の主表面上にシリコン薄膜が形成された透明絶縁性基板であり、該シリコン薄膜が形成された側とは反対側の主表面が粗らされたSOI基板を、金属不純物やパーティクルの発生を簡便な方法により抑制して製造する方法を提供する。【解決手段】透明絶縁性基板の一方の主表面である第一主表面上にシリコン薄膜が形成されており、前記透明絶縁性基板の第一主表面とは反対側の主表面である第二主表面が粗れているSOI基板を製造する方法であって、少なくとも、透明絶縁性基板を準備する工程と、前記透明絶縁性基板の少なくとも前記第一主表面を鏡面加工する工程と、前記透明絶縁性基板の第一主表面上にシリコン薄膜を形成する工程とを含むSOI基板の製造方法において、前記透明絶縁性基板の第二主表面をレーザーを用いて加工して粗面化するレーザー加工工程を有するSOI基板の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板の一方の主表面である第一主表面上にシリコン薄膜が形成されており、前記透明絶縁性基板の第一主表面とは反対側の主表面である第二主表面が粗れているSOI基板を製造する方法であって、少なくとも、透明絶縁性基板を準備する工程と、前記透明絶縁性基板の少なくとも前記第一主表面を鏡面加工する工程と、前記透明絶縁性基板の第一主表面上にシリコン薄膜を形成する工程とを含むSOI基板の製造方法において、前記透明絶縁性基板の第二主表面をレーザーを用いて加工して粗面化するレーザー加工工程を有することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (2件)：

H01L27/12 B , H01L21/02 B

引用特許：

出願人引用 (1件)

SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-147351 出願人：信越化学工業株式会社

審査官引用 (8件)

特開平3-089323
特開平4-358120
透明材料のレーザー微細加工法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-265837 出願人：工業技術院長

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