特許
J-GLOBAL ID：200903026037446879

SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ

発明者：
伊藤 厚雄

伊藤 厚雄 について

, 
久保田 芳宏

久保田 芳宏 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-147351
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324530
出願日： 2005年05月19日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】透明絶縁性基板とSOI層との熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等の発生を防止でき、SOI層の膜厚均一性を高くできるSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコンウエーハ上に同一のエッチング液によるエッチング速度が単結晶シリコンとは異なる第一の単結晶薄膜層を形成し、第一の単結晶薄膜層上にエピタキシャル法により単結晶シリコン薄膜を形成し、単結晶シリコン薄膜の表面から水素イオン又は希ガスイオンの少なくとも一方を注入しイオン注入層を形成し、単結晶シリコンウエーハのイオン注入面及び/又は透明絶縁性基板の表面をプラズマ及び/又はオゾンで処理し、単結晶シリコンウエーハのイオン注入面と透明絶縁性基板の表面とを処理をした表面を接合面として室温で密着させ接合し、イオン注入層に衝撃を与え接合ウエーハを機械的に剥離し、単結晶シリコン薄膜が露出するまで剥離面をエッチングする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上にSOI層を形成してSOIウエーハを製造する方法において、少なくとも、 単結晶シリコンウエーハ上に、同一のエッチング液によるエッチング速度が単結晶シリコンとは異なる第一の単結晶薄膜層を形成する工程、 該第一の単結晶薄膜層上にエピタキシャル法により単結晶シリコン薄膜を形成する工程、 該単結晶シリコン薄膜の表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、イオン注入層を形成する工程、 該単結晶シリコンウエーハのイオン注入面及び/又は前記透明絶縁性基板の表面を、プラズマ及び/又はオゾンで処理する工程、 前記単結晶シリコンウエーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程、 前記イオン注入層に衝撃を与えて前記接合ウエーハを機械的に剥離する工程、 前記単結晶シリコン薄膜が露出するまで前記剥離面をエッチングする工程、 を行なうことを特徴とするSOIウエーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20
Fターム (16件)：
5F152LL03 ,  5F152LL09 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP02 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NP03 ,  5F152NP04 ,  5F152NP12 ,  5F152NQ03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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