半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-169831
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344817
出願日： 2005年06月09日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】不純物濃度の製造上のバラツキを保証して所望の耐圧を確保すること。【解決手段】半導体装置10は、p-型の半導体基板22と、半導体基板22上に形成されているn-型のドリフト層を備えている。さらに、ボディ領域32側のドリフト層24に接してp型の埋込み半導体領域72が設けられている。これにより、半導体装置10がオフのときにボディ領域32とドレイン領域52を隔てているドリフト層24が実質的に空乏化する条件がボディ領域32側とドレイン領域52側で異なっており、ボディ領域32側ではドリフト層24の不純物濃度が所定濃度よりも濃い場合に実質的に空乏化し、ドレイン領域52側ではドリフト層24の不純物濃度が所定濃度よりも薄い場合に実質的に空乏化することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の不純物を含む半導体基板と、半導体基板上に形成されており、第2導電型の不純物を低濃度に含むドリフト層と、ドリフト層の表面側の一部に形成されており、第1導電型の不純物を含むボディ領域と、ドリフト層の表面側の一部に形成されており、ドリフト層によってボディ領域から隔てられているとともに、第2導電型の不純物を高濃度に含むドレイン領域と、ボディ領域内に形成されており、ボディ領域によってドリフト層から隔てられているとともに、第2導電型の不純物を高濃度に含むソース領域と、ソース領域とドリフト層を隔てているボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極と、ソース領域に電気的に接続しているソース電極と、ドレイン領域に電気的に接続しているドレイン電極を備えており、ボディ領域とドレイン領域を隔てているドリフト層が実質的に空乏化する条件がボディ領域側とドレイン領域側で異なっており、ボディ領域側ではドリフト層の不純物濃度が所定濃度よりも濃い場合に実質的に空乏化し、ドレイン領域側ではドリフト層の不純物濃度が所定濃度よりも薄い場合に実質的に空乏化する条件を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (1件)：

H01L29/78 301D

Fターム (18件)：

5F140AA25 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BD19 , 5F140BF44 , 5F140BH05 , 5F140BH14 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH41 , 5F140BH42 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BH49 , 5F140BH50 , 5F140BK13 , 5F140CD01

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-183402 出願人：富士電機ホールディングス株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-074633 出願人：株式会社東芝
高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-049076 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (4件)

高圧回路素子を含む半導体装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-502166 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
特開昭57-027071
特開昭57-027071

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