特許
J-GLOBAL ID：200903074024961566

半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

発明者：
竹谷 元伸

竹谷 元伸 について

, 
東條 剛

東條 剛 について

, 
内田 史朗

内田 史朗 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 杉浦 正知 ,  森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-216266
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063537
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】p型AlGaN電子ブロック層などの、Al組成が10%以上のp型層を有する場合においても、動作電圧の低減を図ることができ、しかもそのp型層による電子ブロッキング効果を十分に得ることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】n側クラッド層5とp側クラッド層9、12との間に活性層7が挟まれた構造を有し、かつ、Al組成が10%以上のp型AlGaN電子ブロック層を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、p型AlGaN電子ブロック層11の少なくとも一部にInを1×1019/cm3 以上含ませる。例えば、In濃度をほぼ均一とし、1×1019/cm3 以上1×1022/cm3 未満とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n側クラッド層とp側クラッド層との間に活性層が挟まれた構造を有し、かつ、Al組成が10%以上のp型層を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、 上記p型層の少なくとも一部にInが1×1019/cm3 以上含まれている ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01S5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (14件)：
5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (6件)
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