窒化ガリウム系化合物半導体発光素子および窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-208828
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054795
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を得ることを目的とする。【解決手段】有機金属気相成長法により、基板1上にインジウムを含むバッファ層2を成長させ、このバッファ2層の上にインジウムを含むn型窒化ガリウム系化合物半導体薄膜3を成長させる。これにより、バッファ層2とn型窒化ガリウム系化合物半導体薄膜3との界面近傍における歪みや結晶欠陥等の発生が低減される。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に成膜されたインジウムを含むバッファ層と、前記バッファ層上に成膜され、少なくとも前記バッファ層と接する側にインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体薄膜とを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/86

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 21/86

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-038157 出願人：株式会社東芝
化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-043581 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-038158 出願人：株式会社東芝

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