特許

J-GLOBAL ID：200903092227942689

窒化物半導体発光素子

発明者： 赤坂 哲也 ,  安藤 精後 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260003
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076521
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 クラッド層としてのp型のAlGaNは、電気抵抗が非常に高く、電圧降下や温度上昇による活性層の内部量子効率の低下という現象が起きていた。【解決手段】 (0001)を表面とするサファイア基板1上に、30nm厚のGaN低温緩衝層2,Siがドープされた3μm厚のn型のGaNコンタクト層3,Siがドープされた0.5μm厚のn型のAl0.05Ga0.95Nクラッド層4,従来用いられているGaNではなくSiがドープされた0.2μm厚のn型のIn0.05Ga0.95N光ガイド層5,4nm厚のIn0.2 Ga0.8 N量子井戸層と8nm厚のIn0.05Ga0.95N障壁層の3周期からなる多重量子井戸活性層6,Mgがドープされた20nm厚のp型のAl0.2 Ga0.8 N電子ブロック層7,p型のAlGaNを用いずにMgがドープされた0.6μm厚のp型のInGaNクラッド層8を順次有機金属気相成長法により積層した構造である。

請求項（抜粋）：

分離閉じこめヘテロ構造型の窒化物半導体発光素子において、光ガイド層として、n型のIn<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> N(0<x<1)と、p型のIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB> N(0<y<1)とのうちのいづれか、あるいは両方を用い、p側のクラッド層としてp型のIn<SB>z</SB> Ga<SB>1-z</SB> N(0≦z≦1,z<x,z<y)を用いることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C

Fターム (18件)：

5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-045292   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体レ-ザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-254362   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-279913   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-036250   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317845   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-009813   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置および光学式情報再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-112979   出願人：シャープ株式会社