レベル変換回路および半導体集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大日方富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-330385
公開番号（公開出願番号）：特開2002-135107
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】出力信号のロウレベルからハイレベルへの変化がハイレベルからロウレベルへの変化に比べ遅いため、信号を受ける側の回路は、遅い方の信号のタイミングに合わせて信号を取り込まなくてはならず、タイミングの設計が面倒であり、システムの高速化が妨げられる。【解決手段】入力信号と同相及び逆相の信号を出力するレベルシフト回路(12)と、該レベルシフト回路の出力信号のうち早い方に応答し出力信号を生成する後段回路とによりレベル変換回路を構成し、後段回路には、第1と第2電圧端間に各々2個のp/nチャネル型MOSトランジスタ(Qp5,Qp6)(Qn5,Qn6)が直列に接続されたインバータ回路を用い、1組を入力用トランジスタとし、残る1組にはレベルシフト回路の出力信号に基づきフィードバックをかけ、次の変化にすばやく応答できるように構成した。

請求項（抜粋）：

第1の信号振幅を有する第1信号を受ける第1入力端子と、上記第1の信号振幅よりも大きな第2の信号振幅を有し上記第1信号と同相の第2信号を出力する第1出力端子と、上記第1の信号振幅よりも大きな第2の信号振幅を有し上記第1信号と逆相の第3信号を出力する第2出力端子とを含む第1回路と、第1電圧端子と第2電圧端子との間にそのソース-ドレイン経路が直列に接続された第1pチャネル型MOSトランジスタ、第2pチャネル型MOSトランジスタ、第1nチャネル型MOSトランジスタ、第2nチャネル型MOSトランジスタを有し、上記第1pチャネル型MOSトランジスタのドレイン及び上記1nチャネル型MOSトランジスタのドレインが第3出力端子に接続された第2回路とを備え、上記第2回路は、上記第1回路の第1出力端子から出力される第2信号と上記第1回路の第2出力端子から出力される第3信号のうち、信号レベルの変化が早い方の信号の信号変化に基づいて上記第2の信号振幅を有する第4信号を形成して上記第3出力端子より出力することを特徴とするレベル変換回路。

IPC (5件)：

H03K 19/0185 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (3件)：

H03K 19/00 101 E , H01L 27/04 F , H01L 27/08 321 L

Fターム (31件)：

5F038AR20 , 5F038AR26 , 5F038AV06 , 5F038CA04 , 5F038CD02 , 5F038CD09 , 5F038CD18 , 5F038DF01 , 5F038EZ10 , 5F038EZ20 , 5F048AB04 , 5F048AB07 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BD10 , 5J056AA00 , 5J056AA32 , 5J056BB02 , 5J056CC05 , 5J056CC21 , 5J056DD13 , 5J056DD28 , 5J056EE07 , 5J056EE11 , 5J056FF08 , 5J056GG08 , 5J056HH01 , 5J056HH02 , 5J056KK01 , 5J056KK02

引用特許：

審査官引用 (6件)

レベル変換回路及び半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-068184 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-363149 出願人：株式会社日立製作所
レベルシフト回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-310432 出願人：株式会社東芝

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