特許
J-GLOBAL ID：200903074138356557
減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003951
公開番号（公開出願番号）：特開平10-198018
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 減衰型位相シフトマスクにおいて、正規の露光領域の周囲に形成される露光光の発生を防止し、移動しながら連続して露光を行なう場合の隣接する露光領域への露光を防止し、また、パーティクルディテクタによる誤検出を防止するパターンを有する減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 減衰型位相シフトパターン2と、この減衰型位相シフトパターン2の周縁部の所定の位置に形成された、透過部37と位相シフタ部34とを含む減衰型補助位相シフトパターン3とを備え、この減衰型補助位相シフトパターン3は、露光装置の解像限界より小さいパターンを有し、かつ、透過部37と位相シフタ部34とが不規則に配置されている。
請求項（抜粋）：
フォトマスク基板上の所定の位置に形成された減衰型位相シフトパターンと、前記減衰型位相シフトパターンの周縁部の所定の位置に形成された、透過部と位相シフタ部とを含む減衰型補助位相シフトパターンと、を備え、前記減衰型補助位相シフトパターンは、露光装置の解像限界より小さいパターンを有し、かつ、前記透過部と前記位相シフタ部とが不規則に配置された、減衰型位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
