特許
J-GLOBAL ID：200903074239428435

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法、および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者：
布 上 真 也

布 上 真 也 について

, 
吉 田 博 昭

吉 田 博 昭 について

, 
小野村 正 明

小野村 正 明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-293978
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101150
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 歩留まりが高い窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法、及び、歩留まりが高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 液相堆積法(LPD)により、誘電体膜を、レジストパターン上には堆積させず、レジストパターンが形成されていない窒化ガリウム系化合物半導体層上に選択的に堆積させる。これにより、電極の形成や高反射コート膜の形成を設計した場所に位置ずれなく行うことができる。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体層上にレジストパターンを形成する工程と、誘電体を過飽和に溶解した水溶液に前記窒化ガリウム系化合物半導体層を浸して前記レジストパターンが形成された部分を除いて前記窒化ガリウム系化合物半導体層上に誘電体膜を選択的に析出させる工程と、を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/10 ,  H01S 5/22
FI (6件)：
H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/10 ,  H01S 5/22
Fターム (23件)：
5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA98 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073DA33 ,  5F073DA35
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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