特許
J-GLOBAL ID:200903061190467427

ドライ洗浄方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-007156
公開番号(公開出願番号):特開2002-217154
出願日: 2001年01月16日
公開日(公表日): 2002年08月02日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置の製造過程におけるウエハ表面の洗浄を乾燥雰囲気で高効率に実現する。【解決手段】 本発明は、プラズマ生成手段9により生成するプラズマの電気的作用および化学的作用と、被処理ウエハ2の表面および裏面に近接して配置する構造体4、5で形成する高速ガス流の摩擦応力による物理的作用を併用して、被処理ウエハ2の表面および裏面を洗浄することにある。
請求項(抜粋):
真空排気手段により排気された真空容器内にて、被処理ウエハの表面および裏面に近接または接してパット型構造体をそれぞれ配置させ、該構造体と該被処理ウエハの間にガスを供給し、該構造体を被処理ウエハに対して相対的に移動させることで被処理ウエハ表面および裏面を洗浄することを特徴とするドライ洗浄方法。
IPC (5件):
H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 648 ,  B08B 5/02 ,  B08B 7/04
FI (5件):
H01L 21/304 645 A ,  H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/304 648 G ,  B08B 5/02 A ,  B08B 7/04 Z
Fターム (8件):
3B116AA03 ,  3B116AB33 ,  3B116AB53 ,  3B116BB44 ,  3B116BB81 ,  3B116BB82 ,  3B116CD11 ,  3B116CD41
引用特許:
審査官引用 (6件)
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