特許
J-GLOBAL ID：200903074270611957

半導体装置の製造方法

発明者：
井上 薫

井上 薫 について

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池田 義人

池田 義人 について

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西井 勝則

西井 勝則 について

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廣瀬 裕

廣瀬 裕 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-275858
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056146
出願日： 2003年07月17日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】 III-V族窒化物半導体からなる半導体装置において、且つ短時間に素子分離絶縁膜を形成することと、素子分離絶縁膜の形成工程において電気特性を損なうことなくシリコンを拡散することとを両立できるようにする。 【解決手段】 基板31の上にGaN層33とAlGaN層37とを形成し、AlGaN層37の上にシリコンからなる酸化保護膜38を選択的に形成する。次に温度が約1000°Cの酸化性雰囲気に投入して、1時間〜2時間程度にわたって熱処理を施す。このとき、酸化保護膜38で覆われていない領域では、GaN層33及びAlGaN層37が表面側から酸化されてAlGaNとGaNの酸化物からなる素子分離絶縁膜39が形成される。また、熱処理によってAlGaN層37の表面にシリコンの添加されたシリコン含有AlGaN層36Aが形成される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウムガリウムからなる第1の半導体層の上に、開口部を有し且つシリコンを含む保護膜を形成する工程と、 前記第1の半導体層に対して、温度が950°C以上且つ1050°C以下の範囲に調整された酸化性雰囲気において熱処理を行う工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/76 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (2件)：
H01L21/76 M ,  H01L29/80 H
Fターム (22件)：
5F032AA12 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA16 ,  5F032DA24 ,  5F032DA53 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GT01 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC05 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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