基板処理装置及びその方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227617
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102297
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】基板例えばウエハに対して現像処理等の基板処理を行う場合に、処理の均一性を高めること。【解決手段】ウエハWをウエハ保持部2に保持させ、ウエハ裏面の周縁領域に流路41から温調液Aを吐出した状態で、ウエハ表面に現像液Dを液盛りする。この後ウエハ裏面の周縁領域に流路41から温調液Aを吐出した状態で、所定時間ウエハWを回転させることにより現像を行う。このようにすると、ウエハWの中央部近傍領域では熱容量の大きいウエハ保持部2にてウエハWが加熱され、ウエハWの周縁領域には温調液Aの液膜が形成され、これによりウエハWが加熱される。この際ウエハWを回転させているので現像液Dが攪拌され、こうしてウエハWの面内における現像液Dの温度分布の発生が抑えられて、温度差が原因となる現像ムラの発生が抑制され、均一な現像処理を行うことができる。

請求項（抜粋）：

基板を保持するための基板保持部と、基板に処理液を供給するための処理液供給部と、基板の被処理面の反対面を加熱するための温調部と、を備え、前記基板の反対面を前記温調部にて加熱しながら、処理液が供給された基板を前記基板保持部にて所定時間保持することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , B05C 11/08 , B05D 1/40 , G03F 7/30 502

FI (4件)：

B05C 11/08 , B05D 1/40 A , G03F 7/30 502 , H01L 21/30 569 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

現像処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-138739 出願人：株式会社東芝
特開昭58-068749
特開平4-124812

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