特許
J-GLOBAL ID:200903074409572641
単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-219625
公開番号(公開出願番号):特開平9-048693
出願日: 1995年08月04日
公開日(公表日): 1997年02月18日
要約:
【要約】【課題】 低いコストで大面積の単結晶ダイヤモンド膜を気相合成することができ、ダイヤモンドを使用した幅広い応用分野において、ダイヤモンドの特性の飛躍的向上と実用化とを可能にする単結晶ダイヤモンド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 単結晶ダイヤモンドの形成方法は、(111)又は(001)結晶面を有する基体上に、白金又は白金を50原子%以上含有する白金合金を300°C以上の基板温度で蒸着し、1000°C以上の温度でアニール処理を施したものを基板として、ダイヤモンド膜を気相合成する。
請求項(抜粋):
基体上に、白金又は白金を50原子%以上含有する白金合金の膜を蒸着し、その後、この白金又は白金合金の膜にアニール処理を施し、これを基板として、前記白金又は白金合金の膜上にダイヤモンド膜を気相合成することを特徴とする単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。
引用特許: