特許

J-GLOBAL ID：200903074435720454

化合物半導体薄膜の成長方法

発明者： 荒木 賀行 ,  横浜 秀雄
出願人/特許権者： エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-144842
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300615
出願日： 2007年05月31日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：

【課題】半導体薄膜を低温度で結晶成長させる方法【解決手段】有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程により半導体薄膜を低温度で結晶成長させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程を備えたことを特徴とする低温度結晶成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (6件)：

H01L21/205 ,  C23C16/18 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (36件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045HA16 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-360291   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化ガリウム系薄膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-265835   出願人：旭化成工業株式会社
• 窒化物半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-079548   出願人：科学技術振興事業団
• 基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-128325   出願人：ソニー株式会社