特許
J-GLOBAL ID：200903078090004942
窒化物半導体製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
橋爪 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079548
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277436
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体薄膜作製におけるプロセス温度を低温化し、大面積で均一な製膜を行うようにし、量産化することを目的とする。【解決手段】 反応室1の真空排気を適当な圧力にし、サファイア基板23の温度を所定温度に上昇させて保持し、トリメチルガリウム・ボンベ3及びトリメチルアミン・ボンベ4からの原料を反応室1へ導入する。導入後、反応室1に高周波を印加してプラズマ放電により、製膜を開始する。所定時間が経過後、サファイア基板23の温度下降を開始し、原料のガスの供給を停止し、高周波プラズマの付加を停止して終了する。反応室1内のサファイア基板23の温度が室温になったら、反応室1を窒素で大気に戻し、サファイア基板23に堆積された窒化物半導体薄膜のサンプルを取り出す。
請求項（抜粋）：
III族原料の有機金属化合物である第1の原料を供給し、V族原料の有機アミン化合物である第2の原料を供給し、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)を用いることにより前記第1及び第2の原料を反応させて基板上に窒化物半導体薄膜を作製する窒化物半導体製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
5F041AA40
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA77
, 5F045AA08
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AD07
, 5F045AE19
, 5F045AF09
, 5F045BB04
, 5F045BB07
, 5F045CA09
, 5F045CA10
, 5F045CA11
, 5F045DP01
, 5F045DP02
, 5F045DP05
, 5F045DQ10
, 5F045EK01
, 5F045EK05
, 5F045EK07
